아직 검증이 전혀 안된 회로도입니다..
틈틈이 작성한 회로라서 오류가 많이 있을것으로 판단합니다.
리뷰 해보시고 댓글 달아주세요..
현재 PCB 아트웍을 잠깐 검토한 결과 일반 공정으로는 불가하고, 0.15mm 마이크로
비아에 빌드업 공정이 필요한것으로 판단됩니다.
따라서 단가를 중요시한다면, 2440에 NAND+SDRAM을 별도로 부착하는 것이 좀 더
저렴할 것으로 예측됩니다.
어차피 어려운 공정을 사용해야 한다면, 오히려 i.MX-31이 메리트가 많을것 같기도...
그럼 이만...
VDD_MOP에 CT4, CT5,CT6,CT7을 100uF+22uF 나 아니면 100uF 하나정도를 달지않고 10uF를 4개 병렬로 다는데 특별한 이유라도 있는건가요? 이제현님 회로 구성이 예전부터 그렇게 되어있는것 같아서요..
그냥 별개 다 궁금하네요...ㅋㅋ