삼성 NAND D-die (K9K8G08U0D-SCB0) 에서 E-die(K9K8G08U0E-SCB0)로  갈아타는중인데요

타이밍 차이나는 부분은 전부 수정해서 Write - Read 동작에는 문제가 없는데

같은 address에 Write 후 Erase 없이 Write 바로 하면 기존에 Write했던 값이 바뀌는 문제가 발생하고있습니다.

NAND 특성상 쓰여진 영역은 0xFF로 써도 데이터는 변하지 않는걸로 알고있습니다.

FileSystem은 PocketStoreII를 쓰고 있고요..

ex) Erase 없이 같은 Page에 연속 두번 Write 테스트시 

: 3th Block 1Page 64byte

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0                AA AA AA AA AA AA AA AA AA AA 0 0 AA AA AA AA                 

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0                0 0 0 0 0 0 AA AA AA AA 0 0 AA AA AA AA

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0     ->        0 0 0 0 AA AA AA AA AA AA 0 0 AA AA 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0                AA AA 0 0 AA AA AA AA AA AA AA AA 0 0 0 0

: 같은 테스트를 D-die에서 하는경우에는 정상적으로 처음 Write한 값이 바뀌지 않습니다.

  샘플로 받은 NAND 10개 전부 같은 현상을 보이고 있습니다.

E-die로 변경할때 타이밍 외에 다른 차이점이 있는걸까요?

타이밍 문제로 이런현상이 나올수 있을까요? 타이밍은 최대로도 해보고 DataSheet에 맞춰서 여유있게도 해봤는데

변화는 없었습니다.